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離子束輔助沉積鍍膜
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  • 離子束輔助沉積鍍膜
  • 離子束輔助鍍膜相關(guān)資料
    姓名:劉翔翔
    學(xué)號:20100760
    學(xué)院:機(jī)械與汽車工程學(xué)院
    班級:真空一班


    用離子束輔助沉積技術(shù)制備ZnS/MgF2膜①
    鍍膜機(jī)采用北京儀器廠生產(chǎn)的ZZSX-
    1200真空鍍膜機(jī)。鍍膜室尺寸(寬×深×
    高):1200×958×1250(mm3)。蒸發(fā)源有電
    阻式和電子槍兩種。夾具為球面行星、公自
    轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu),數(shù)量為3片,每片可放置Φ50mm冷
    光杯192個,即每次可鍍覆576個Φ50mm
    冷光杯。烘烤采用管狀加熱器輻射加熱方
    式。
    離子源為自行設(shè)計制造,外徑160mm。
    輸入電壓220V,50Hz,±10%。陰極燈絲用
    Φ0.5mm鎢絲制成,長度120mm,工作電流
    16~20A。放電壓一般為50V,電流2~3A,即放電功率一般控制在100~150W。本離子源
    不用加速極與柵極,結(jié)構(gòu)較為簡單,容易進(jìn)行維修。
    膜厚監(jiān)控采用石英晶體振蕩儀。監(jiān)測厚度(深度)范圍0.1nm~999.9μm,自動換擋,分
    辨率0.1nm。監(jiān)測速率范圍0.1~99.99nm,分辨率0.1nm。預(yù)置終點(diǎn)厚度0.1nm~999.
    9μm。輸入電壓:220V,50Hz,功率小于40W。
    離子...
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