模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料_模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)
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- 一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識
1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。
2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。
3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。
4. 兩種載流子 ----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。
5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。
*P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。
*N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。
6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性
*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。
*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。
*轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。
7. PN結(jié)
* PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。
* PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。
8. PN結(jié)的伏安特性
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